NickelMaghrebV1, Main, Exploration, bibRecord, 000428

EFFECT OF ANISOTROPY ON THE ELASTIC FIELD NEAR THE FREE SURFACE OF A THREE-LAYER HETEROSTRUCTURE

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EFFECT OF ANISOTROPY ON THE ELASTIC FIELD NEAR THE FREE SURFACE OF A THREE-LAYER HETEROSTRUCTURE

Auteurs : Mourad Brioua [Algérie] ; Rachid Benbouta [Algérie] ; Kamel Zidani [Algérie]

Source :

Annales de chimie : (Paris. 1914) [ 0151-9107 ] ; 2010.

RBID : Pascal:12-0067118

Descripteurs français

Pascal (Inist)
- Anisotropie, Champ élastique, Surface libre, Elasticité, Dislocation interfaciale, Condition aux limites, Champ déplacement, Epaisseur, Hétérostructure, Siliciure de nickel, Silicium, Arséniure de gallium, Semiconducteur III-V.

English descriptors

KwdEn :
- Anisotropy, Boundary conditions, Displacement field, Elastic fields, Elasticity, Free surface, Gallium arsenides, Heterostructures, III-V semiconductors, Misfit dislocations, Nickel silicide, Silicon, Thickness.

Abstract

L'objectif de ce travail est la résolution numérique, dans le cas de l'élasticité anisotrope des champs élastiques, du problème d'une dislocation de misfit situé entre un substrat infini et un composé à deux couches. Les conditions aux limites au voisinage d'une dislocation intrinsèque tendent vers celles d'une dislocation de translation de Volterra. Les champs élastiques de déplacement sont calculés pour différentes orientations du vecteur de Burgers, par l'inversion d'une matrice de 30x30. Le composé NiSi₂/Si/ (001) GaAs, qui a fait l'objet de plusieurs études, est traité comme exemple. Les résultats obtenus sont comparés à ceux obtenus dans le cas l'élasticité isotrope.

Affiliations:

Algérie

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Serveur d'exploration sur le nickel au Maghreb

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